casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI5943DU-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI5943DU-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI5943DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5943DU-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 6V |
Potência - Max | 8.3W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® ChipFet Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5943DU-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5943DU-T1-GE3-FT |
SI4340CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA922EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel