casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI5947DU-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI5947DU-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI5947DU-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5947DU-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Potência - Max | 10.4W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® ChipFet Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5947DU-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5947DU-T1-E3-FT |
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA922EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA913ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel