casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI3905DV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3905DV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3905DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3905DV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 1.15W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3905DV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3905DV-T1-GE3-FT |
SI5906DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5938DU-T1-E3
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SI5943DU-T1-E3
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A3PE1500-FG484I
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A3P250-2PQG208I
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5SGXEABN2F45I3N
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Microchip Technology