casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3469DV-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI3469DV-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI3469DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3469DV-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.14W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3469DV-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3469DV-T1-E3-FT |
SI1072X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1072X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1073X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1073X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1078X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1032X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1046X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013R-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel