casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1072X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1072X-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1072X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1072X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 236mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-6 |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1072X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1072X-T1-E3-FT |
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
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SIE878DF-T1-GE3
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SIE882DF-T1-GE3
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SI5459DU-T1-GE3
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SI5418DU-T1-GE3
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SI5410DU-T1-GE3
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SI5411EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel