casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1072X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1072X-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1072X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1072X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 236mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-6 |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1072X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1072X-T1-E3-FT |
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE878DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5459DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5418DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5410DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5411EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel