casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI1903DL-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1903DL-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1903DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1903DL-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 995 mOhm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 270mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1903DL-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1903DL-T1-E3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
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IRF5810
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IRF5810TR
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IRF5850
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IRF5850TR
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M2GL010TS-1VFG400I
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EP2AGX125DF25I5N
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EP1S25F1020C6
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