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Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-GE3

Name: SI1304BDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1304BDL-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.6 (236 reviews)

Número da peça MFG: SI1304BDL-T1-GE3

Quantidade disponível: 34820 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI1304BDL-T1-GE3.pdf

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SI1304BDL-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SI1304BDL-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SI1304BDL-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI1304BDL-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	340mW (Ta), 370mW (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SC-70-3
Pacote / caso	SC-70, SOT-323
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1304BDL-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI1304BDL-T1-GE3-FT

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