casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / S2000AF
Número da peça de fabricante | S2000AF |
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Número da peça futura | FT-S2000AF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2000AF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 700V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 4.5A, 5V |
Potência - Max | 50W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOWATT218FX |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOWATT-218FX |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2000AF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2000AF-FT |
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel