casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / S2000AF
Número da peça de fabricante | S2000AF |
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Número da peça futura | FT-S2000AF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2000AF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 700V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 4.5A, 5V |
Potência - Max | 50W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOWATT218FX |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOWATT-218FX |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2000AF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2000AF-FT |
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel