casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / S2000AF
Número da peça de fabricante | S2000AF |
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Número da peça futura | FT-S2000AF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2000AF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 700V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 4.5A, 5V |
Potência - Max | 50W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | ISOWATT218FX |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOWATT-218FX |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2000AF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2000AF-FT |
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel