casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD2206(TE6,F,M)
Número da peça de fabricante | 2SD2206(TE6,F,M) |
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Número da peça futura | FT-2SD2206(TE6,F,M) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD2206(TE6,F,M) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 900mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92MOD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206(TE6,F,M) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD2206(TE6,F,M)-FT |
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6DW,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6UWG36ITR50
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ICE5LP1K-CM36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8N2F45C2LN
Intel
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ALI84-4
Intel
EP2S130F1020C4N
Intel