casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC2712-GR,LF
Número da peça de fabricante | 2SC2712-GR,LF |
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Número da peça futura | FT-2SC2712-GR,LF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC2712-GR,LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S-Mini |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2712-GR,LF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC2712-GR,LF-FT |
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6DW,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
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2SC2229(TE6SAN1F,M
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2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
EP2A40F672C9
Intel
XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
Intel