casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW1S0BAR680JT
Número da peça de fabricante | RW1S0BAR680JT |
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Número da peça futura | FT-RW1S0BAR680JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW1S0BAR680JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 680 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 2512 J-Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamanho / dimensão | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR680JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW1S0BAR680JT-FT |
RW1S0BAR020FE
Ohmite
RW1S0BAR200JE
Ohmite
RW1S0BAR100FE
Ohmite
RW1S0BA1R00J
Ohmite
RW1S0BA1R00JET
Ohmite
RW1S0BA1R00JT
Ohmite
RW1S0BAR005J
Ohmite
RW1S0BAR005JET
Ohmite
RW1S0BAR010F
Ohmite
RW1S0BAR010FET
Ohmite
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel