casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW1S0BA1R00JT
Número da peça de fabricante | RW1S0BA1R00JT |
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Número da peça futura | FT-RW1S0BA1R00JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW1S0BA1R00JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 2512 J-Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamanho / dimensão | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BA1R00JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW1S0BA1R00JT-FT |
RW2R0DAR025J
Ohmite
RW2R0DAR025JT
Ohmite
RW2R0DAR030J
Ohmite
RW2R0DAR030JT
Ohmite
RW2R0DAR050F
Ohmite
RW2R0DAR050JT
Ohmite
RW2R0DAR100JT
Ohmite
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
RW2S0DA10R0J
Ohmite
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel