casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW1S0BAR010FET
Número da peça de fabricante | RW1S0BAR010FET |
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Número da peça futura | FT-RW1S0BAR010FET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW1S0BAR010FET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 mOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 2512 J-Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMD J-Lead, Pedestal |
Tamanho / dimensão | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.141" (3.58mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010FET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW1S0BAR010FET-FT |
RW2R0DAR050F
Ohmite
RW2R0DAR050JT
Ohmite
RW2R0DAR100JT
Ohmite
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
XC4025E-4HQ304C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
EP3SE260H780C2
Intel
10AX022E4F29I3SG
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45E2SG
Intel