casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RCD051N20TL
Número da peça de fabricante | RCD051N20TL |
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Número da peça futura | FT-RCD051N20TL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RCD051N20TL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CPT3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCD051N20TL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RCD051N20TL-FT |
ES6U2T2R
Rohm Semiconductor
ES6U3T2CR
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