casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ES6U3T2CR
Número da peça de fabricante | ES6U3T2CR |
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Número da peça futura | FT-ES6U3T2CR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES6U3T2CR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 10V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WEMT |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES6U3T2CR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES6U3T2CR-FT |
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