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Rohm Semiconductor RW1A013ZPT2R

Name: RW1A013ZPT2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RW1A013ZPT2R
Price: 0.096472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (299 reviews)

Número da peça MFG: RW1A013ZPT2R

Quantidade disponível: 36620 Peças

Preço de referência: USD 0.096472

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RW1A013ZPT2R.pdf

RW1A013ZPT2R Especificações

Número da peça de fabricante	RW1A013ZPT2R
Número da peça futura	FT-RW1A013ZPT2R
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RW1A013ZPT2R Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-WEMT
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A013ZPT2R Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RW1A013ZPT2R-FT

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