casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / QID1210006
Número da peça de fabricante | QID1210006 |
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Número da peça futura | FT-QID1210006 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QID1210006 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 570W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 6.5V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 16nF @ 10V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QID1210006 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QID1210006-FT |
MII400-12E4
IXYS
MIO1200-25E10
IXYS
MIO1200-33E10
IXYS
MIO1200-33E11
IXYS
MIO1500-25E10
IXYS
MIO1800-17E10
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MIO2400-17E10
IXYS
MIO600-65E11
IXYS
MITA10WB1200TMH
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MITA15WB1200TMH
IXYS