casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIO1200-33E11
Número da peça de fabricante | MIO1200-33E11 |
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Número da peça futura | FT-MIO1200-33E11 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIO1200-33E11 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 3300V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1200A |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 120mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E11 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E11 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIO1200-33E11 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIO1200-33E11-FT |
IRG5K50FF06E
Infineon Technologies
IRG5K50HF06A
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IRG5K50HF12A
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IRG5K75FF06E
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IRG5K75HF06A
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IRG5U100HF06A
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IRG5U100HF12A
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IRG5U100HF12B
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XC3S400-4TQG144I
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XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
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EP1SGX10DF672C6N
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5SGXEA7K3F40C2
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5SGXEA9N2F45I3LN
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LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel