casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIO1200-33E10
Número da peça de fabricante | MIO1200-33E10 |
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Número da peça futura | FT-MIO1200-33E10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIO1200-33E10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 3300V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1200A |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 120mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 187nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E10 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E10 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIO1200-33E10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIO1200-33E10-FT |
IRG5K400HF06B
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IRG5U100HF06A
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IRG5U100HF12A
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XC6SLX9-2FTG256C
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M1A3P250-VQ100
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10AX022E4F27E3LG
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Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
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