casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMH2Z
Número da peça de fabricante | PQMH2Z |
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Número da peça futura | FT-PQMH2Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH2Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH2Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMH2Z-FT |
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
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NSB1706DMW5T1G
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NSVUMC2NT1G
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NSVUMC5NT2G
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NSVUMC3NT1G
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NSVB1706DMW5T1G
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NSB1706DMW5T1
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LCMXO640E-5T144C
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XC3S1000L-4FGG320C
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XC6SLX25-L1FGG484C
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EP2C35F672C7
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EPF10K200SFC484-2N
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APA075-TQG100I
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A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
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LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCU324C8G
Intel