casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSM21356DW6T1G
Número da peça de fabricante | NSM21356DW6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSM21356DW6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSM21356DW6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 65V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSM21356DW6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSM21356DW6T1G-FT |
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation