casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMD12Z
Número da peça de fabricante | PQMD12Z |
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Número da peça futura | FT-PQMD12Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PQMD12Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 230MHz, 180MHz |
Potência - Max | 350mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD12Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMD12Z-FT |
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
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MUN5334DW1T1G
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NSB13211DW6T1G
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NSM11156DW6T1G
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NSM21356DW6T1G
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NSM46211DW6T1G
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XC2S200E-6PQ208I
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A3P600-FG256
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10M25DAF256I6G
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EPF6010AFC256-3
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EP4SGX230KF40C2N
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EP4SE530F43C3NES
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5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7
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