casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5331DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5331DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5331DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5331DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5331DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5331DW1T1G-FT |
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5216DW1T1G
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NSVMUN5212DW1T1G
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MUN5211DW1T1G
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ON Semiconductor
MUN5111DW1T1G
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LCMXO640E-5T144C
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XC3S1000L-4FGG320C
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XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
EP2C35F672C7
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EPF10K200SFC484-2N
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APA075-TQG100I
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A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCU324C8G
Intel