casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMN55ENEH
Número da peça de fabricante | PMN55ENEH |
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Número da peça futura | FT-PMN55ENEH |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PMN55ENEH Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN55ENEH Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMN55ENEH-FT |
FDV301N_D87Z
ON Semiconductor
FDV302P-NB8V001
ON Semiconductor
FDV302P_D87Z
ON Semiconductor
FDV303N_NB9U008
ON Semiconductor
FDV304P-D87Z
ON Semiconductor
FDV304P_NB8U003
ON Semiconductor
NDS0610_NL
ON Semiconductor
NDS331N_D87Z
ON Semiconductor
NDS335N
ON Semiconductor
NDS336P
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel