casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDV303N_NB9U008
Número da peça de fabricante | FDV303N_NB9U008 |
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Número da peça futura | FT-FDV303N_NB9U008 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDV303N_NB9U008 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | 8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV303N_NB9U008 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDV303N_NB9U008-FT |
XP151A11B0MR-G
Torex Semiconductor Ltd
XP151A12A2MR
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XP152A11E5MR-G
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2N7002E
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A3P600L-1FGG484
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5SGSMD4H3F35C4N
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