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ON Semiconductor FDV302P-NB8V001

Name: FDV302P-NB8V001
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDV302P-NB8V001
Availability: InStock
Rating: 4.7 (417 reviews)

Número da peça MFG: FDV302P-NB8V001

Quantidade disponível: 92170 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDV302P-NB8V001.pdf

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FDV302P-NB8V001 Especificações

Número da peça de fabricante	FDV302P-NB8V001
Número da peça futura	FT-FDV302P-NB8V001
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
FDV302P-NB8V001 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	0.31nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	-8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	350mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDV302P-NB8V001 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDV302P-NB8V001-FT

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