casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD18,115

| Número da peça de fabricante | PEMD18,115 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PEMD18,115 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| PEMD18,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 300mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PEMD18,115 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PEMD18,115-FT |

MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor

XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.

EP4CE55F23C7N
Intel

EP1K50FI256-2
Intel

EP4SGX360FH29C3
Intel

XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.

XC7A200T-2FBG484I
Xilinx Inc.

LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX230DF29C4N
Intel

EPF6016AFC100-1
Intel