casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD17,115
Número da peça de fabricante | PEMD17,115 |
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Número da peça futura | FT-PEMD17,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMD17,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD17,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMD17,115-FT |
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1G
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NSB4904DW1T1G
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XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
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A3PN125-1VQG100
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10M16DCF256I6G
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EP4SGX530KH40C3N
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LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation