casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMB19,115
Número da peça de fabricante | PEMB19,115 |
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Número da peça futura | FT-PEMB19,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMB19,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB19,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMB19,115-FT |
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5214DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
EP20K30ETC144-3N
Intel
XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel