casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5111DW1T3G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5111DW1T3G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSVMUN5111DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5111DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5111DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5111DW1T3G-FT |
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP1K50TI144-2N
Intel
EP20K30ETC144-2X
Intel
EPF10K30ETC144-2X
Intel
EPF6016ATI144-3
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3N
Intel
EP2C8F256C7
Intel