casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5214DW1T1G

| Número da peça de fabricante | MUN5214DW1T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MUN5214DW1T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MUN5214DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 250mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5214DW1T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MUN5214DW1T1G-FT |

NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation

EPF10K10ATC144-1N
Intel

XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.

EP4CE15F17C9LN
Intel

5SGXEB6R2F40C2LN
Intel

EP3SL340F1517I3N
Intel

EP4S100G5H40I3N
Intel

LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K100BC356-2
Intel

EP1K100QC208-2
Intel