casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / PBSS5130PAP,115
Número da peça de fabricante | PBSS5130PAP,115 |
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Número da peça futura | FT-PBSS5130PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBSS5130PAP,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 280mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 510mW |
Freqüência - Transição | 125MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130PAP,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBSS5130PAP,115-FT |
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
MBT6429DW1T1G
ON Semiconductor
SBC856BDW1T1G
ON Semiconductor
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor
MBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation