casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / MBT6429DW1T1G
Número da peça de fabricante | MBT6429DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MBT6429DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBT6429DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 100µA, 5V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 700MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBT6429DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBT6429DW1T1G-FT |
XN0150100L
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XN0150400L
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XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
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5CEFA5F23I7N
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EP4CE30F29I7
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