casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / SBC856BDW1T1G
Número da peça de fabricante | SBC856BDW1T1G |
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Número da peça futura | FT-SBC856BDW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
SBC856BDW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 65V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 380mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBC856BDW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBC856BDW1T1G-FT |
XN0150400L
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XN0153100L
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M2GL060-FCSG325I
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A3PE600-2FG484I
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5SGXMA4K3F40C4N
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10AX048E4F29E3LG
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XC7S25-1CSGA225I
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A40MX04-PQ100A
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LCMXO640C-3MN100I
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EP4SGX110HF35C4N
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