casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS60601MZ4T3G
Número da peça de fabricante | NSS60601MZ4T3G |
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Número da peça futura | FT-NSS60601MZ4T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS60601MZ4T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 800mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS60601MZ4T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS60601MZ4T3G-FT |
NSV2SC5658M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC856BM3T5G
ON Semiconductor
NSV2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
MJD31C1G
ON Semiconductor
MJD42C1G
ON Semiconductor
MJD253-1G
ON Semiconductor
MJD112-1G
ON Semiconductor
MJD117-1G
ON Semiconductor
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
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M7A3P1000-PQG208
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A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel