casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD112-1G
Número da peça de fabricante | MJD112-1G |
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Número da peça futura | FT-MJD112-1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD112-1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 25MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112-1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD112-1G-FT |
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