casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS40200UW6T1G
Número da peça de fabricante | NSS40200UW6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSS40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS40200UW6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 875mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WDFN (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40200UW6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS40200UW6T1G-FT |
NJVMJD44E3T4G
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
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