casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS40200UW6T1G
Número da peça de fabricante | NSS40200UW6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSS40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS40200UW6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 875mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WDFN (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40200UW6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS40200UW6T1G-FT |
NJVMJD44E3T4G
ON Semiconductor
MJD5731T4G
ON Semiconductor
MJD2955T4G
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MJD32T4G
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MJD41CRLG
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NJVMJD210T4G
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NJVMJD2955T4G
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NJVMJD31T4G
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NJVMJD6039T4G
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M2GL050T-FCSG325
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A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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