casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBA115TDP6T5G
Número da peça de fabricante | NSBA115TDP6T5G |
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Número da peça futura | FT-NSBA115TDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA115TDP6T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 408mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-963 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-963 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA115TDP6T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA115TDP6T5G-FT |
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