casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMC5610L0R
Número da peça de fabricante | DMC5610L0R |
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Número da peça futura | FT-DMC5610L0R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMC5610L0R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMini5-F3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC5610L0R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMC5610L0R-FT |
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Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
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XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
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EP1S40F780C5N
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