casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DMG563H10R
Número da peça de fabricante | DMG563H10R |
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Número da peça futura | FT-DMG563H10R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMG563H10R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMini5-F3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG563H10R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMG563H10R-FT |
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Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
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