casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI25-12A7T
Número da peça de fabricante | MWI25-12A7T |
---|---|
Número da peça futura | FT-MWI25-12A7T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI25-12A7T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Potência - Max | 225W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI25-12A7T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI25-12A7T-FT |
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA600-CQ208M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
EP3SL200F1517C4LN
Intel
XC5VSX95T-1FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XCKU3P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP2AGZ225FF35C4N
Intel