casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI200-06A8
Número da peça de fabricante | MWI200-06A8 |
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Número da peça futura | FT-MWI200-06A8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI200-06A8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 225A |
Potência - Max | 675W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.8mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI200-06A8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI200-06A8-FT |
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-3
Intel
5SGXEA4K3F40C4N
Intel
M2GL060-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX70HF35C4N
Intel