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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

Name: MVB50P03HDLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVB50P03HDLT4G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (260 reviews)

Número da peça MFG: MVB50P03HDLT4G

Quantidade disponível: 19610 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: MVB50P03HDLT4G.pdf

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MVB50P03HDLT4G Especificações

Número da peça de fabricante	MVB50P03HDLT4G
Número da peça futura	FT-MVB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 5V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4.9nF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK-3
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	MVB50P03HDLT4G-FT

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