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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

Número da peça MFG
MVB50P03HDLT4G
Quantidade disponível
19610 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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MVB50P03HDLT4G Especificações

Número da peça de fabricante MVB50P03HDLT4G
Número da peça futura FT-MVB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 5V
Vgs (máx.) ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4.9nF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK-3
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição MVB50P03HDLT4G-FT

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