casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANSR2N7389
Número da peça de fabricante | JANSR2N7389 |
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Número da peça futura | FT-JANSR2N7389 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/630 |
JANSR2N7389 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 6.5A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 12V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-205AF (TO-39) |
Pacote / caso | TO-205AF Metal Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSR2N7389 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANSR2N7389-FT |
IXTM10P60
IXYS
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IXYS
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XC4005E-2TQ144I
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M2GL050-VFG400I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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LFE3-95E-8FN672I
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