casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANSR2N7380
Número da peça de fabricante | JANSR2N7380 |
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Número da peça futura | FT-JANSR2N7380 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/614 |
JANSR2N7380 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 14.4A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 12V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 75W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-257 |
Pacote / caso | TO-257-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSR2N7380 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANSR2N7380-FT |
IXTI10N60P
IXYS
IXTI12N50P
IXYS
IXTM10P60
IXYS
IXTM11N80
IXYS
IXTM11P50
IXYS
IXTM12N100
IXYS
IXTM1316
IXYS
IXTM15N60
IXYS
IXTM1630
IXYS
IXTM1712
IXYS
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel