casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5211DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5211DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5211DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5211DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5211DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5211DW1T1G-FT |
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
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APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel