casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBA123JDXV6T1
Número da peça de fabricante | NSBA123JDXV6T1 |
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Número da peça futura | FT-NSBA123JDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA123JDXV6T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123JDXV6T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA123JDXV6T1-FT |
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
M7A3P1000-2FG484I
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A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
EP2C35F484C8
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EP2AGZ350HF40I3N
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XC2VP30-6FFG1152C
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XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
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LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
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