casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBA123EDXV6T1
Número da peça de fabricante | NSBA123EDXV6T1 |
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Número da peça futura | FT-NSBA123EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA123EDXV6T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123EDXV6T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA123EDXV6T1-FT |
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDP6T5G
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NSBC143EDP6T5G
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NSBC143ZDP6T5G
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NSBA143ZDP6T5G
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NSBC123TDP6T5G
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EPF6010ATC144-1
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LCMXO640C-5T144C
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC3S200-4FTG256I
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A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
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LFXP6E-3F256C
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10AX115N3F45I2SG
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