casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L512M64D4PQ-107 WT:B
Número da peça de fabricante | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B |
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Número da peça futura | FT-MT52L512M64D4PQ-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B-FT |
MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel