casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Número da peça de fabricante | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 1.2GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR-FT |
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel